Pracę poświęcono zagadnieniom modelowania wielkosygnałowych właściwości tranzystorów polowych typu MESFET oraz metodom projektowania mikrofalowych generatorów jedno- i wielotranzystorowych. Zaproponowano zmodyfikowany model przyrządu,uwzględniający zjawisko przebicia napięciowego złącza bramka-kanał. Opracowano efektywny algorytm i programy numerycznego wyznaczania wielkosygnałowych charakterystyk dynamicznych układów z tranzystorami MESFET w stanie ustalonym. Opracowano nową konstrukcję generatora wieloelementowego z rezonatorem wnękowym, nie wymagającą stosowania stratnych obciążeń stabilizujących. Przedstawiono metodę projektowania generatorów pozwalającą na określenie zarówno częstotliwości jak i poziomu mocy generowanych drgań, przy maksymalnej dla danego tranzystora sprawności przetwarzania. Użyteczność opracowanej metodyki projektowania generatorów oraz teoretycznie określone własności proponowanego układu potwierdzono doświadczalnie badaniami generatorów jedno- i wielotranzystorowych w paśmie 10 GHz. [STRESZCZENIE]

Więcej informacji w Bibliotece Cyfrowej CYBRA